Транзистор IRF840(A)

IRF840 N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=8.0A@T=25C, Id=5.1A@T=100C, Rds=0.85 R, P=125W, -55 to +150C).
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 125 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 500V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 8 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Ёмкость стока (Cd): 1500 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.85 Ом
Технические характеристики IRF840
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
Серия PowerMESH™